6月30日，星电三星电子公开了一项名为“包括沿垂直方向堆叠的发布M封多个半导体芯片的半导体封装”的HBM封装新专利，旨在攻克高带宽内存（HBM）封装中的装新专利可靠性难题。

根据6月28日提交的星电申请文件，该专利核心技术亮点如下：

• 深槽切割工艺：采用“深槽切割”技术，发布M封将堆叠在HBM顶部的装新专利虚拟芯片侧面加工成三级阶梯状曲面结构。这一创新设计能有效缓解高堆叠HBM中普遍存在的星电芯片分层、开裂及翘曲等结构性问题。发布M封
• 精准热管理设计：在热传导优化方面，装新专利专利将粘合绝缘层底面与水平延伸面之间的星电垂直距离精确控制在1-10微米之间，确保传热效率维持在现有高水平。发布M封
• 改进型凸起结构：引入一种改进的装新专利凸起表面结构，旨在最大限度减少成型层体积，星电从而优化传热路径，发布M封进一步提升散热性能。装新专利