存储芯片行业的价格涨价趋势正进一步加速，多重利好与供给瓶颈交织，翻倍推动市场情绪高涨。利好

据权威研究机构DigiTimes最新报告指出，突袭受人工智能（AI）需求爆发及产能结构性瓶颈的存储传双重驱动，高带宽内存（HBM）的芯片消息价格预计将在2027年实现翻倍。与此同时，价格SK海力士首席执行官郭鲁正（Kwak Noh-jung）预测，翻倍2027年将成为存储芯片行业历史上供应短缺最为严峻的利好一年。

种种迹象表明，突袭存储芯片市场的存储传涨价浪潮正在愈演愈烈。全球知名存储模组大厂威刚（ADATA）董事长近日公开透露，芯片消息2026年第三季度，价格存储芯片价格将继续上涨。翻倍

HBM价格预计2027年翻倍

当地时间7月10日，利好DigiTimes发布的最新报告援引行业内部人士观点称，在AI算力需求激增与产能结构性紧缺的共同作用下，HBM价格有望在2027年实现翻倍增长。

据行业消息人士透露，下一代HBM4芯片的价格可能从2026年下半年约2美元/千兆比特（Gb）飙升至4至5美元，甚至更高水平。

此次涨价的核心原因主要归结为两大生产制约因素：
1. 工艺难度极高：HBM4的生产周期长达4至6个月，且初期良品率偏低，导致有效产出受限。
2. 晶圆占用面积大：生产HBM所需的晶圆面积是普通DDR5内存的3倍，这大幅压缩了现有产线的产能释放空间。

目前，全球HBM三大主要生产商——三星电子、SK海力士和美光科技，正通过与顶级AI客户签订为期三至五年的长期供货协议，以锁定全球内存供应份额。

DigiTimes预判，到2027年，全球近半数DRAM产能将被大客户包揽，中小厂商将难以获得供货份额。此外，供应链消息指出，2027年AI硬件领域将持续存在根本性的供货缺口。随着2026年底芯片厂商议价权的达到顶峰，未提前签订长期供货协议的消费电子企业，或将面临严重的内存断供危机。

值得注意的是，今年部分供应商的DDR5利润率已突破80%，这迫使芯片制造商要求更高的HBM定价，以证明从传统DRAM生产线转移产能的经济合理性。紧缩的供应与持续的涨价叙事，正成为存储芯片板块强大的市场催化剂。

美东时间7月10日，韩国存储巨头SK海力士通过美国存托凭证（ADR）在美股市场首次亮相，创下265亿美元的历史纪录发行规模。其ADR价格大涨超12%，较韩股普通股股价存在显著溢价，显示出美股存储芯片板块交易情绪的强劲延续。

SK海力士首席执行官郭鲁正表示，全球存储芯片行业正迈向史上最严重的供应短缺期。尽管公司正积极扩充产能，但他预计，存储芯片需求将持续超过生产能力，这一紧张局面将一直延续至2030年以后。

威刚释放重磅信号：2026 Q3涨价确认

全球第二大存储模组企业威刚董事长陈立白近日透露，2026年第三季度存储芯片将继续涨价。

陈立白明确表示，2026年第三季度，DRAM与NAND Flash价格将再度大幅上调，两大产品线的涨势明确，存储产业的上升通道正在加速。

据陈立白透露，存储器原厂已通知第三季度DRAM合约价将上涨20%至30%，NAND Flash将调涨35%至40%。两大产品线价格均维持上升趋势，这将持续助力威刚的业绩表现。

陈立白指出，当前三大存储原厂2026年绝大部分产能早已提前订满售出，不少客户已经开始洽谈2027年及更长期的供货合约。

威刚方面表示，随着AI算力需求的持续扩张，厂商分配给通用DRAM和消费级固态硬盘（SSD）NAND闪存的产能持续缩减。本就处于供给最紧张阶段的存储市场，供需矛盾将进一步加剧，2027年内存及固态硬盘产品的供货紧缺问题或将进一步恶化。

在此之前，多家权威机构已发布报告，预计2026年第三季度存储芯片价格将继续上涨：

• TrendForce（集邦咨询）：最新存储器价格调查报告显示，第三季度整体DRAM格局持续极度紧缺。受消费级应用需求下修及高价格基数影响，合约价涨幅收敛，预计季增13%—18%。NAND Flash方面，主要需求仍由AI推理与大型数据中心建设支撑，但因合约价格已达历史高点，消费端客户对价格承受力已达极限，预计整体NAND Flash合约价季增10%—15%，涨价幅度较前几季明显缩减。
• 瑞银（UBS）：7月发布的最新报告大幅上调存储芯片价格预期。称DRAM报价会在第三季度上涨32%（此前预期17%）、第四季度再涨18%（此前预期12%）；NAND Flash报价预计会在第三季度上涨30%，第四季度将再涨12%。

排版：罗晓霞
校对：高源